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電晶體構造與特性 (輸入特性曲線 (IB-VBE關係曲線稱為輸入特性曲線。, IC-VCE 關係曲線稱為輸出特性曲線。, 電晶體 B 極和 E…
電晶體構造與特性
輸入特性曲線
IB-VBE關係曲線稱為輸入特性曲線。
IC-VCE 關係曲線稱為輸出特性曲線。
電晶體 B 極和 E 極之間相當於一個二極體。
IB，VBE的關係曲線類似二極體特性曲線。
在 VBE > 0 時，因射極的電流 IE絕大部份到達 C 極。
只有一個極小比例從B只有一個極小比例從 極流出，而這個比例和 VCE關係不大。
收集載子效率不良，有較大的比例從 B 極流出，故 IB較大。
這條曲線和VCE的關係不大，當 VCE =& 0 時，C 極和 E 極被順向偏壓。
輸出特性曲線
IC主要由 IB決定，VCE的影響很小，因此 IC-VCE曲線是相當水平的。
在正常工作狀況，IC和 IB有大約固定的比值。
當 VCE =& 0.2V 時，因為 C 極和 B 極之間順向偏壓，C 極收集載子的效率降低，故 IC減少。
這個區域稱為「飽和區」
構造
由半導體材料組成，至少有三個對外端點（稱為極）。
基於輸入的電流或電壓，改變輸出端的阻抗 ，從而控制通過輸出端的電流，因此電晶體可以作為電流開關。
(C)集極、(E)射極、(B)基極，其中(B)基極是控制極，另外兩個端點之間的伏安特性關係是受到控制極的非線性電阻關係。
因為電晶體輸出訊號的功率可以大於輸入訊號的功率，因此電晶體可以作為電子放大器。
電晶體
（英語：transistor）
是一種固態半導體元件。
可以用於放大、開關、穩壓、訊號調變和許多其他功能。
第七組
組長：黃靖評37號
組員：陳楷元31號、陳政諺27號、陳俊棋
32號、劉育昇41號、陳韋智28號
