Please enable JavaScript.

Coggle requires JavaScript to display documents.

Електротехніка та електроніка (Біполярні транзистори Схеми вмикання…

- - - - тріоди
      - трансформатори
      - підсилювачі
    - - джерела енергії (за винятком керованих і багатофазних)
      - резистори
      - котушки індуктивності
      - конденсатори
  - - - Резистивний елемент (резистор)
        
        Основною характеристикою резистивного елементує залежність u(i) або i(u)
        вольт-амперна характеристика (ВАХ)
      - Індуктивний елемент (котушка індуктивності)
        
        Індуктивність визначається відношенням потокосчеплення до струму, що протікає по витках котушки,
        
        основна хар-ка - вебер-амперна
      - Конденсатор - це пасивний елемент, що характеризується ємністю.
        
        Ємність визначається відношенням заряду q на обкладинках конденсатора до напруги u між ними і залежить від геометрії обкладинок і властивостей діелектрика, що знаходиться між ними.
- - - - адже у відповідних рівняннях, що відповідають математичним моделям електричних кіл, присутні напруги та струми, що змінюються у часі.
- - - - Найбільш розповсюдженим трифазним генератором є синхронна машина, що перетворює механічну енергію в електричну
        
        Трифазний синхронний генератор (з'єднання обмоток - "зіркою")
      - Частина машини (ротор), яка зображена у вигляді постійного магніту, обертається з рівномірною швидкістю під дією обертового моменту M джерела механічної енергії.
      - Індуковані в обмотках ЕРС мають однакові частоти та амплітуди, але відрізняються одна від одної за фазою на кут 2π/3 внаслідок просторового зсуву обмоток. Таку систему ЕРС називають симетрично
    - - однофазними (наприклад, освітлювальні прилади, житлові квартири, ряд нагрівальних приладів та ін.)
      - трифазними (асинхронні та с
        инхронні двигуни, електричні печі)
      - В залежності
        
        Якщо комплексні опори фаз не рівні між собою, то споживачі називають несиметричними.
        
        Симетричними називають споживачі, комплексні опори фаз яких рівні між собою
- - - - Цей пробій зумовлений лавинним розмноженням носіїв заряду у разі ударної іонізації атомів швидкими носіями.
      - носії заряду у p-n переході під дією зворотної напруги прискорюються полем і при русі в ньому зштовхуються з атомами кристалічних граток.
      - При відповідній напруженості електричного поля носії заряду набувають енергію достатню для вибивання валентних електронів, тобто появі додаткових пар носіїв заряду – електронів і дірок. Ці заряди, в свою чергу, прискорюються і в разі зіткнення з атомами також утворюють додаткові носії заряду.
      - мал. 2
    - - В основі тунельного пробою лежить явище безпосереднього відриву валентних електронів від атомів кристалічних ґраток під впливом великого електричного поля. Утворені таким чином додаткові дірки і електрони збільшують струм через p-n перехід.
      - мал. 3
- - - - Випрямні діоди призначені для випрямлення змінного струму низької частоти.
      - Електронно-дірковий перехід має площинну конструкцію, щоб пропускати великі струми і виконується на високоомному матеріалі (для одержання великих зворотних напруг). Вони виконуються на основі несиметричних p-n переходів.
- - - - Активний режим
        (робоча точка знаходиться в активній області)
        у якому емітерний p-n перехід транзистора зміщений у прямому напрямі, а колекторний p-n перехід у зворотному
      - Режим насичення
        (робоча точка знаходиться в області насичення), у якому обидва p-n переходи транзистора зміщені у прямому напрямі.
      - Режим відтинання
        (робоча точка знаходиться в області відтинання), у якому обидва p-n переходи зміщені у зворотному напрямі
      - У режимах насичення і відтинання транзистор не має підсилення. Ці режими використовуються при роботі транзисторів в імпульсних схемах