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電晶體構造與特性 二乙 35 黃浩哲 (運用及分類 (電晶體主要分為兩大類 (雙極性電晶體（BJT） (同時利用半導體中的多數載子及少數載子導通,…
電晶體構造與特性
二乙 35 黃浩哲
運用及分類
電晶體主要分為兩大類
雙極性電晶體（BJT）
同時利用半導體中的多數載子及少數載子導通
是第一個量產的電晶體，是由二種不同接面的二極體組成，其結構可分為二層N型半導體中間夾一層P型半導體的NPN電晶體，以及二層P型半導體中間夾一層N型半導體的PNP電晶體。
會有二個PN接面，分別是基極-射極接面及基極-集極接面，中間隔著一層的半導體，即為基極。
雙極性電晶體也可以設計為受到光照射時導通，因為基極吸收光子會產生光電流，其效應類似基極電流，集極電流一般是光電流的β倍，這類的電晶體一般會在封裝上有一透明窗，稱為光電晶體。
場效應電晶體（FET）
利用電子（N通道FET）或是電洞（P通道FET）導通電流。
都有閘極（gate）、汲極（drain）、源極（source）三個極，若不是結型場效應管，還會有一極，稱為體（body）。
大部份的場效應電晶體中，體（body）會和源極相連。
可以分為兩種
分別是結型場效應管（JFET）
絕緣閘極場效電晶體（IGFET）
電晶體一般都有三個極，其中一極兼任輸入及輸出端子，(B)基極不能做輸出，(C)集極不能做輸入之外，其餘兩個極組成輸入及輸出對。
電晶體之所以如此多用途在於其訊號放大能力，當微細訊號加於其中的一對極時便能控制在另一對極較大的訊號，這特性叫增益。
場效應電晶體的三個極，源極（Source）、閘（柵）極（Gate）和汲極（Drain）。 在閘極與源極之間施加電壓能夠改變源極與汲極之間的阻抗，從而控制源極和汲極之間的電流。
雙極性電晶體的三個極，射極（Emitter）、基極（Base）和集極（Collector）; 射極到基極的微小電流，會使得射極到集極之間的阻抗改變，從而改變流經的電流
電晶體因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是射極接地（又稱共射放大、CE組態）、基極接地（又稱共基放大、CB組態）和集極接地（又稱共集放大、CC組態、射極隨隅器）
類型
結構：BJT、JFET、IGFET (MOSFET)、IGBT等。
電極性（正電及負電，類似化學極性）：n–p–n及p–n–p（BJT），N通道及P通道（FET）
最大功率額定：可分為低功率、中功率及高功率。
應用：開關、泛用、音頻、高壓等。
增益係數：hfe、βF[8]或gm（跨導）等。
歷史
1925年，加拿大物理學家尤利烏斯·愛德利林費爾德申請場效應電晶體（FET）的專利
1926年，尤利烏斯·愛德利林費爾德也在美國申請專利，但是他沒有發布過相關的文章，而且當時還沒有製作高品質半導體的相關技術。
1934年，德國發明家奧斯卡海爾申請類似裝置的專利。
1947年12月，美國貝爾實驗室的肖克利、巴丁和布拉頓組成的研究小組，研製出一種點接觸型的鍺電晶體。
和真空管的比較
優點
體積小，重量低，因此有助於電子設備的小型化。
工作電壓低，只要用電池就可以供應。
可透過半導體技術大量的生產。
限制
矽電晶體會老化及失效
固體電子元件在應用時比較容易靜電放電。
心得
這次電子學心智圖老師出這項作業是讓我們電晶體構造與特性，讓我對於電晶體的構造和特性更加了解
早期音譯為穿細絲體，是一種固態半導體元件，可以用於放大、開關、穩壓、訊號調變和許多其他功能。在1947年，由約翰·巴丁、沃爾特·布喇頓和威廉·肖克利所發明。